Name: CDMSJ22010-650-SL
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: CDMSJ22010-650 SL
Availability: InStock
Rating: 5 (149 reviews)

CDMSJ22010-650-SL

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	CDMSJ22010-650-SL
Produttore	Central Semiconductor Corp
Descrizione	SUPER JUNCTION MOSFETS
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	1.500 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
Tempi di Consegna	Essere confermato
Tempo di consegna stimato	feb 14 - feb 19 (Scegli una spedizione rapida)
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Specifiche CDMSJ22010-650-SL

Produttore	Central Semiconductor Corp
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	726 pF @ 400 V
Vgs (massimo)	30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	29.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	390mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220FP
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack

CDMSJ22010-650-SL Packaging

CDMSJ22010-650-SL FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the CDMSJ22010-650-SL we delivered, we will accept the replacement or return of the CDMSJ22010-650-SL only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of CDMSJ22010-650-SL.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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